Максимальные достигнутые коэффициент фотоэлектрического преобразования для различных типов фотоэлементов. Измерения полученны в лабораторных условиях.

Фотоэлементы на основе кремния

  • кристаллический, до 24,7%
  • поликристаллический, до 20,3%
  • тонкопленочный, до 16,6%
  • аморфный, до 9,5%
  • нанокристаллический, до 10,1%

Фотоэлементы на основе арсенида галлия GaAs  и фосфида индия InP

  • GaAs кристаллический, до 25,1%
  • GaAs тонкопленочный, до 24,5%
  • GaAs поликристаллический, до 18,2%
  • InP кристаллический, до 21,9%

Фотоэлементы изготовленные по CIGS технологии

  • Cu(In,Ga)Se2, до 19,9%
  • CdTe, до 16,5%

Фотоэлементы, изготовленные по принципу слоистых структур

  • GaInP - GaAs - Ge, до 32,0%
  • GaInP - GaAs, до 30,3%
  • GaAs - CuInSe2, до 25,8%
  • аморфный Si - монокристаллический Si, до 11,7%

Фотоэлементы на основе органических материалов

  • органические красители, до 10,4%
  • полимеры, до 5,15%

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить